- PF-300T
- PF-200T
- NF-300H
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12英寸PECVD设备PF-300T产品介绍:
PF-300T为拓荆承担国家“十一五”重大专项，自主设计研发的产品系列。设备已用于40-28纳米集成电路的生产，具有14纳米及以下技术的延展性，可实现所有相关介质薄膜的沉积。同时已延伸至先进膜技术，产品涵盖了高刻蚀选择比的ACHM硬掩膜、低介电常数的绝缘薄膜及NDC刻蚀阻挡层、超低介电常数的ULK薄膜，可满足客户多种技术节点要求。
产品特点：
-可依客户选择配置1-3路液态源，实现多种先进工艺
-具有优异的产能和CoO
-可与8英寸兼容互相切换(PF-200T)
-具备TSV所需的低温(<200℃)TEOS SiO2工艺
-通过S2安全认证和F47标准检验
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8英寸PECVD设备PF-200T
产品介绍:
PF-200T 是由我公司基于 PF 系列平台，自主研发的 8 英寸 PECVD 设备，硬件结构以及系统稳定性和 PF-300T 保持一致，并已在国内各大企业经过严格的量产验证。PF-200T 和国际同类型二手设备相比，具有产能高，维护费用低的优势，还可为客户提供完善的售后及工艺开发等服务。并可升级到 12英寸，或实现 8/12 英寸相互切换。设备另具有低温 TEOS 的 SiO2工艺，适用于三维集成电路生产(3D IC)中的 TSV 工艺。
产品特点：
-按行业新标准，全新设计制造
-采用行业现有标准零部件，降低维护成本
-具有优异的产能和CoO
-可搭载 1-3 个 PM
-成熟的 SiO2，SiN，SiON 及 TEOS SiO2标准工艺
-可配置 1-3 路液态源，实现掺杂工艺
-具备 TSV 所需的低温(<200℃)TEOS SiO2工艺
-通过 S2 安全认证和 F47 标准检验
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12英寸3D-NAND
产品介绍:
NF-300H 设备由拓荆科技承担了国家十三五重大专项，自主研发，是国产首台应用于新一代三维闪存芯片(3D NAND)生产线上的叠层薄膜沉积设备，拥有自主知识产权。应用于128层及以上3D NAND闪存芯片的生产。可实现SiO2、SiN(ONON)多层薄膜堆叠结构和Thick TEOS 薄膜，在均匀性、颗粒度、粗糙度、应力及产能等方面实现技术突破，设备性能指标达同类产品水平。
产品特点：
-高产能设计和可实现多种薄膜沉积的快速切换
-可实现多层SiO2，SiN(ONON)堆叠功能
-满足300-600℃高温沉积需求
-PM腔内可进行多片wafer沉积和wafer自动升降旋转功能
-通过S2安全认证
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12英寸ALD设备FT-300T
产品介绍:
FT-300T系列是我公司自主研发的原子层沉积(Atomic Layer Deposition)设备，ALD反应腔搭载在高产能的PECVD平台上，满足了对设备产能的需求，现已应用于先进的芯片制造、OLED及先进封装(TSV)领域，同时针对14nm以下前道工艺(FEOL)进行研制开发。现可提供具有高质量的PEALD和Thermal ALD，如SiO2、SiN、Al2O3薄膜，并陆续开发金属氧化物及金属氮化物等薄膜工艺。
产品特点：
-ALD薄膜在高宽比(20:1)情况下台阶覆盖率可达到95%
-优异的生产成本(CoO)及性能指标
-具有优异的均匀性和优异的保型性
-可搭载1-3个PM
-通过S2安全认证和F47标准检验
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技术服务及零部件客户技术支持：
- 在机台设备保质期内，本公司将对非人为造成的软、硬件上的问题为客户提供及时的维修，以保证客户工厂生产的正常进行。
- 本公司在机台设备保质期内提供给客户充分的备用件，保质期后，客户可以购买方式取得备用部件的补充。
-依客户所提需求，本公司的工程师保证于24小时内到达客户现场给予支援。
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12英寸单腔PECVD设备产品介绍:
SC-300以12寸PECVD设备架构为基础，专为LED生产线、高校、研究所及企业研发机构所设计研发，可做2-12英寸的工艺，可选TEOS等液态源配置，适用于半导体、MEMS、光伏，封装等行业
